2024年度学院等開講科目工学院電気電子系電気電子コース

VLSI工学第一

開講元: 電気電子コース
担当教員: 若林整 / 角嶋邦之
授業形態: 講義
メディア利用科目: -
曜日・時限 (講義室): 月1-2 (G2-202 (G221)) / 木1-2 (G2-202 (G221))
クラス: -
科目コード: EEE.C441
単位数: 200
開講時期: 2024年度
開講クォーター: 1Q
シラバス更新日: 2025年3月14日
使用言語: 英語

シラバス

授業の目的（ねらい）、概要

現代社会を根底で支える大規模集積回路(VLSI)技術について理解しておくことはとても重要です。そこで具体的にはCMOS集積回路の構造，スケーリング技術、微細化技術(露光技術、成膜技術、エッチング技術、CMP技術等)、メモリデバイス技術、センサー技術、アクチュエータ技術、配線技術、パッシブデバイス技術、パッケージ技術、などを総合的に理解することを進めます。

到達目標

本講義を履修することによって，現代社会を支える大規模集積回路について理解を進めることを到達目標とします。さらに，実際の集積回路設計に応用できるようになることを目標とします。

実務経験のある教員等による授業科目等

実務経験と講義内容との関連 (又は実践的教育内容)

本講義の半分は、集積回路向けデバイス技術領域において、
複数企業で20年の実務経験を持つ教育担当教員がその実務経験を活かし、
VLSI工学について基礎と応用に関する教育を行う。

キーワード

大規模集積回路(VLSI)技術、CMOS集積回路、スケーリング技術、微細化技術、露光技術、成膜技術、エッチング技術、CMP技術、メモリデバイス技術、センサー技術、アクチュエータ技術、配線技術、パッシブデバイス技術、パッケージ技術等

学生が身につける力

専門力
教養力
コミュニケーション力
展開力 (探究力又は設定力)
展開力 (実践力又は解決力)

授業の進め方

授業計画に示した内容の講義をスライド照射で行います。全講義の終了後にレポート課題を提出してもらいます。

授業計画・課題

	授業計画	課題
第1回	CMOS集積回路とインバータ	MOSFET, CMOS, インバータについて理解を進めます。
第2回	論理回路	論理回路について理解を進めます。
第3回	メモリデバイス技術(SRAM, DRAM)	メモリデバイス技術(SRAM, DRAM)について理解を進めます。
第4回	メモリデバイス技術(Flash and others)	メモリデバイス技術(Flash and others)について理解を進めます。
第5回	イメージセンサーデバイス技術	イメージセンサーデバイス技術について理解を進めます。
第6回	増幅回路、(差動増幅)	増幅回路、(差動増幅)について理解を進めます。
第7回	低消費電力回路	低消費電力回路について理解を進めます。
第8回	製造技術の概要(ウエハ技術、クリーン化技術)	製造技術の概要(ウエハ技術、クリーン化技術)について理解を進めます。
第9回	成膜技術、エッチング技術	成膜技術、エッチング技術について理解を進めます。
第10回	微細化技術(露光技術)	微細化技術(露光技術)について理解を進めます。
第11回	イオン注入技術、ウェット技術、CMP技術外	イオン注入技術について理解を進めます。ウェット技術、CMP技術外について理解を進めます。
第12回	配線技術、パッシブデバイス技術、パッケージ技術	配線技術、パッシブデバイス技術、パッケージ技術について理解を進めます。
第13回	レイアウト設計、テスト・歩留まり・信頼性	レイアウト設計、テスト・歩留まり・信頼性について理解を進めます。
第14回	最新デバイス解析に関するグループ発表	最新デバイス解析に関するグループ発表を行います。

準備学修(事前学修・復習)等についての指示

学修効果を上げるため，教科書や配布資料等の該当箇所を参照し，「毎授業」授業内容に関する予習と復習（課題含む）をそれぞれ概ね100分を目安に行うこと。

教科書

・タウア・ニン　最新VLSIの基礎、第2版、芝原健太郎、宮本恭幸、内田建監訳、丸善出版

参考書、講義資料等

T2SCHOLAにアップロードされたものを参照

成績評価の方法及び基準

試験は行わず、最後にレポートを提出

履修の条件・注意事項

なし

連絡先 (メール、電話番号) ※”[at]”を”@”(半角)に変換してください。

若林整(wakabayashi.h.ab[at]m.titech.ac.jp)
角嶋邦之(kakushima.k.aa[at]m.titech.ac.jp)

オフィスアワー

9:00-17:00

その他

本講義は文部科学省X-nics/集積Green-niX研究・人材育成拠点の活動としても開設しており、一部は文部科学省次世代X-nics半導体創生拠点形成事業JPJ011438の助成を受けたものです。